IPD30N03

Infineon Technologies

分立半导体产品 | 单 FET，MOSFET

制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO252-3-11
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
16,093
现货
1 : ¥8.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.19919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
13.6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 10µA
14 nC @ 10 V
±16V
980 pF @ 25 V
-
31W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO252-3-11
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
23,750
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.41855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 13µA
20 nC @ 10 V
±16V
1520 pF @ 15 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO252-3-11
IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Infineon Technologies
4,783
现货
1 : ¥12.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.29387
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 18A，10V
2V @ 23µA
19 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO252-3-11
IPD30N03S2L10ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
2,500 : ¥8.12767
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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