1,200 V SiC MOSFET 评估板
Wolfspeed 的电路板使用户能够评估 1,200 V 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管
Wolfspeed 的 KIT-CRD-3DD12P 评估板展示了 1,200 V SiC MOSFET 和肖特基二极管的开关和热性能。该板可配置为在同步或异步模式下作为降压或升压转换器运行。用户可以在打开套件后的几分钟内开始测试。
特性
- 旨在实现以下测量:
- 时序:TDelay-On、TDelay-Off、TRise 和 TFall
- 过冲:VDS-Max 和 ID-Max
- 速度:di/dt 和 dv/dt
- 开关损耗:EON、E离开 和 ERR
- 运行效率:高达 2.5 kW
- 直流输入/输出电压:800 V(最大值)
- 功率(最大值):100 kHz 时为 2.5 kW(受板载电感器限制,使用备用电感器可达到更高水平)
- 与 TO-247-4 和 TO-247-3 SiC MOSFET 兼容
- 与 TO-247 和 TO-220 碳化硅肖特基二极管兼容
- 每个 SiC MOSFET 的专用栅极驱动器和隔离电源
- 示波器探头测量漏极电流(VGS、VDS 和 IS)
- 支持同步和异步降压和升压拓扑
应用
- 不间断电源 (UPS)
- 电机控制和驱动
- 开关模式电源 (SMPS)
- 太阳能和储能系统
- 电动汽车充电
- 高压 DC/DC 转换器
KIT-CRD-3DD12P 1,200 V SiC MOSFET Evaluation Board
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 输出和类型 | 功率 - 输出 | 电压 - 输出 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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KIT-CRD-3DD12P | C3M SIC BUCK-BOOST EVAL KIT | 1 非隔离式输出 | 2.5 kW | 800V | 0 - 立即发货 | $3,042.35 | 查看详情 |
Associated Parts
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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C3M0350120D | SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 | 1572 - 立即发货 | $71.06 | 查看详情 | ||
C3M0021120D | SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3 | 0 - 立即发货 | $338.14 | 查看详情 | ||
C4D02120A | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 | 744 - 立即发货 | $23.12 | 查看详情 | ||
C4D02120E-TR | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2 | 0 - 立即发货 | $23.12 | 查看详情 | ||
C4D02120E | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2 | 13544 - 立即发货 | $23.44 | 查看详情 | ||
C4D02120E-TR | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2 | 0 - 立即发货 | $23.12 | 查看详情 |
发布日期: 2021-07-06