Vishay Semiconductor - Opto Division

VOW3120 宽体 2.5 A IGBT 和 MOSFET 驱动器

Vishay 的 VOW3120 光耦合器是电机控制和逆变器应用中功率 IGBT 和 MOSFET 的理想驱动器件

Vishay Semiconductor/Opto Division 的 VOW3120 宽体 2.5 A IGBT 和 MOSFET 驱动器 Vishay 的 VOW3120 由一个红外发光二极管和一个带有功率输出级的集成电路组成，两者通过光耦合方式连接。 这款光耦合器是电机控制和逆变器应用中功率 IGBT 和 MOSFET 的理想驱动器件。 高工作电压范围输出级提供栅极控制型器件所需的驱动电压。 凭借其输出电压和电流，这款耦合器成为直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT 的理想器件。对于额定值更高的 IGBT，VOW3120 可用于驱动一个驱动 IGBT 栅极的分立式功率级。 VOW3120 非常适于为高工作电压的应用及污染程度较重的环境提供较高的隔离度。 更大的 VIORM、VIOTM、爬电距离和间隙，使 VOW3120 成为很多工业控制和功率转换应用的理想选择。

特性
  • 2.5 A 最小峰值输出电流
  • 10 mm 最小外部爬电距离
  • 25 kV/μs 最小共模抑制
  • ICC = 2.5 mA 最大供应电流
  • 具有磁滞的欠压锁定 (UVLO)
  • 宽工作 VCC 范围：15 V 至 32 V
  • 0.2 μs 最大脉宽失真
  • 工业温度范围：-40°C 至 +100°C
  • 0.5 V 最大低电平输出电压 (VOL)
应用
  • 工业焊接设备
  • 电机驱动器
  • 工业逆变器
  • 商用和民用太阳能逆变器
  • 风力发电机逆变器
  • EV 和插件 HEV 充电器
发布日期： 2014-03-17