爬电距离为 10 mm 的 1 MBd 和 10 MBd VOW 宽体高隔离、高速光耦合器系列

由 Vishay Semiconductor Opto Division设计且适用于提高诸如可替代性能源、工业系统等高电压应用的可靠性，这些器件的 V_IOTM 为 8000 V、V_IORM 为 1414 V 且外部爬电距离超过 10 mm。 这种极强的隔离能力使该系列非常适合那些在更高电压和/或更严重污染条件下工作的应用。 新型 VOW 宽体高隔离、高速光耦合器系列为设计人员提供了 SMD 和通孔选择，以及出色的噪声去耦能力，其高 CMR 规格就说明了这点。

Vishay 的宽体 VOW135 和 VOW136 (1 MBd)、VOW137 和 VOW2211 (10 MBd) 高速光耦合器为设计人员提供了高隔离电压安全额定值以及极端爬电和净空隔离距离。 这些宽体 VOW 元件不仅满足如智能计量 (CAT IV) 等国内外安全机构的要求，还有助于降低工业高功率开关应用中常见的电气噪声，如 AC 变速电机驱动器、太阳能逆变器、焊接设备。 这些器件的典型高共模噪声抑制值有力地证明了其噪声隔离能力。

宽体 VOW 系列将久经验证的光隔离技术和最先进的 1 MBd 和 10 MBd 数据传输速率相结合，实现了灵活的集电极开路输出配置，从而让设计人员自由选择最适合其应用的负载电阻值。

特性

• 外部爬电距离 ≥10 mm
• V_IOTM：8000 V；V_IOTM：1414 V
• 100°C 最高工作温度
• 开集输出

应用

• 非常适合那些在更高电压和/或更严重污染条件下工作的应用