第三代碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

            第三代碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
  
                    Vishay 的 SiC 肖特基二极管采用 MPS 设计，提供更低的正向压降、电容电荷和反向漏电流

Vishay Semi Diodes 的第 3 代碳化硅 (SiC) 肖特基二极管图片 Vishay 第 3 代 650 V 碳化硅肖特基二极管采用合并 PIN 肖特基 (MPS) 设计。它们将高浪涌电流稳健性与低正向压降、电容电荷和反向漏电流相结合，以提高开关电源设计的效率和可靠性。这些器件的 MPS 结构具有通过激光退火技术减薄的背面，与上一代解决方案相比，它们的正向压降降低了 0.3 V。此外，它们的正向压降与电容电荷的乘积降低了 17%。二极管的反向漏电流在室温下通常比最接近的竞争解决方案低 30%，在高温下低 70%。这减少了传导损耗，以确保轻负载和空转期间的高系统效率。第三代器件几乎没有反向恢复时间，进一步提高了效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC 器件具有更高的热导率、更低的反向电流和更短的反向恢复时间。它们采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 通孔和 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面贴装封装。

特性

可提供 4 A 至 40 A 的正向电流
通过薄晶圆技术提高 VF 和效率
提升了能效：
- 低正向电压降：低至 1.46 V
- 低电容电荷：低至 12 nC
- 低反向漏电流：低至 1.3 µA
最高工作温度：高达 +175°C

提升了可靠性：
- 通过 2,000 小时的高温反向偏压 (HTRB) 测试
具有正温度系数，易于并联
MPS 结构具有高稳健性以应对正向电流浪涌事件
提供 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 通孔和 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面贴装封装

应用

AC/DC PFC和 DC/DC 超高频输出整流
- FBPS 和 LLC 转换器

所有受硅超快恢复行为影响的应用

Gen 3 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
VS-3C04ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	1948 - 立即发货	$21.24	查看详情
VS-3C06ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	2925 - 立即发货	$21.33	查看详情
VS-3C08ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	1934 - 立即发货	$26.21	查看详情
VS-3C10ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	3047 - 立即发货	$30.85	查看详情
VS-3C12ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	3048 - 立即发货	$35.98	查看详情
VS-3C16ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	3020 - 立即发货	$46.15	查看详情
VS-3C20ET07T-M3	650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN	788 - 立即发货	$57.39	查看详情
VS-3C16CP07L-M3	DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247AD	1050 - 立即发货	$44.28	查看详情
VS-3C20CP07L-M3	DIODE ARR SIC 650V 10A TO247AD	500 - 立即发货	$54.70	查看详情
VS-3C40CP07L-M3	DIODE ARR SIC 650V 20A TO247AD	477 - 立即发货	$100.36	查看详情