具有小于 10 mohm RDS(on) 的 UF3SC SiC FET

Qorvo 的 UF3SC SiC FET 在 650 V 时 R_DS(ON) 为 7mΩ，在 1200 V 时 RDS(ON) 为 10 mΩ，为大功率应用提供了前所未有的性能和效率水平。这类高性能 SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常导通 SiC JFET 与 Si MOSFET 共封装，以生产常断开 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许可真正直接替代 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。这些器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。