第 4 代 750 V SiC FET 有助于实现新一代电源设计

Qorvo 的 UJ4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列基于独特的共源共栅配置，额定电压为 750 V，并提供 6 mΩ 至 60 mΩ 的产品选型。产品可提供卓越的性能指标，可降低传导损耗，并在更高速度下实现更高效率，同时还可提高整体成本效益。每个给定 R_DS(on) 的 E_on 和 E_off 损耗均得到了改善，同时开关性能和 Q_rr 也得到了提升。此外，E_oss 和 C_oss 的减少也降低了总损耗。产品可以用标准的 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全地驱动。真正的 5 V 阈值电压可保持良好的阈值噪声容限，并且与前几代产品一样，这些 SiC FET 可以在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下工作。产品还包括一个内置的 ESD 栅极保护夹。多个器件获 AEC-Q101 认证。