用于 800 V 总线应用的第 4 代 1200 V SiC FET

Qorvo 的 UF4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列基于独特的共源共栅配置，额定电压为 1200 V，并提供 23 mΩ 至 70 mΩ 选项。这些器件提供出色的性能品质因数 (FoM)，为 1.35 mΩ cm²（R_DS(on) x 面积）、0.78 Ω µJ (R_DS(on) x E_oss)、4.5 Ω pF (R_DS(on) x C_oss(tr))、和 0.9 Ω nC (R_DS(on) x Q_G)。它们是电动汽车 (EV) 车载充电器、工业电池充电器、工业电源供应器、太阳能 DC/DC 转换器以及焊机、UPS 和感应加热应用中主流 800 V 总线架构的最佳电源解决方案。
基于多个 R_DS(on) 和可用的封装选项，这些器件最大限度地提高了设计灵活性和成本效益。产品可以用标准的 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全地驱动。真正的 5 V 阈值电压可保持良好的阈值噪声容限。与前几代产品一样，这些 SiC FET 可以在典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下运行。产品还包括一个内置的 ESD 栅极保护夹。