TP65H035WSQA Gen III AEC-Q101 认证 GaN FET

采用 Transphorm 符合 JEDEC 标准的 Gen III GaN 平台打造，高电压 TP65H035WSQA 以 TO247 封装提供了 35 mΩ 的导通电阻，可实现轻松可驱动性。它也是该公司第二个 AEC-Q101 认证的 GaN 器件，属于 Transphorm 用于各种生产客户应用的功率 FET 系列。对于这一最新的汽车认证，Transphorm 强调 FET 的热限制为 175°C，比 AEC-Q101 认证的标准高压硅 MOSFET 高出 25°C。这种经过验证的可靠性加上 4 V 阈值和 ±20 V 栅极稳健性，让 TP65H035WSQA 成为目前市场上最高质量、最高可靠性 (Q+R) 的 GaN 功率半导体之一。