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LMG1210 半桥 MOSFET 和 GaN FET 驱动器
Texas Instruments 的驱动器具有可调节死区时间，适用于高达 50 MHz 的应用
Texas Instruments LMG1210 是一款 200 V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为超高频高效率应用而设计，具有可调死区时间、超小传播延迟和 3.4 ns 高端/低端匹配，以优化系统效率。该器件具有内部 LDO，在任何电源电压下都可确保 5 V 的栅极驱动电压。
为了在各种应用中实现最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳阴极负载二极管为高压侧自举电容充电。当低压侧关闭时，内部开关关闭阴极负载二极管，有效防止高压侧自举过度充电并最大限度地减少反向恢复电荷。GaN FET 上的额外寄生电容低至 1 pF 以下，以降低额外的开关损耗。
LMG1210 具有两种控制输入模式，包括独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每路输出由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两路互补输出信号由单路输入产生，用户可以在 0 ns 至 20 ns 之间调整每个边沿的空载时间。LMG1210 可在 -40°C 至 +125°C 的宽温度范围内工作，采用低电感 WQFN 封装。
特性
- 高达 50 MHz 的工作频率
- 10 ms 典型传播延迟
- 3.4 ns 高压侧到低压侧匹配
- 脉冲宽度：4 ns（最小值）
- 两个控制输入选项：
- 单路 PWM 输入，可调死区时间
- 独立输入模式
- 1.5 A 峰值拉电流和 3 A 峰值灌电流
- 外部阴极负载二极管带来灵活性
- 内部 LDO，适用于电压轨
- 高 300 V/ns CMTI
- HO 至 LO 电容小于 1 pF
- UVLO 和超温保护
- 低电感 WQFN 封装
应用
- 高速 DC/DC 转换器
- 射频包络跟踪
- D 类音频放大器
- E 类无线充电
- 高精度电机控制
LMG1210 Half-Bridge MOSFET/GaN FET Driver
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 通道类型 | 驱动器数 | 栅极类型 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LMG1210RVRT | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN | 独立式 | 2 | N 沟道 MOSFET | 1679 - 立即发货 | $54.32 | 查看详情 |
发布日期： 2019-04-30
