LMG1210 半桥 MOSFET 和 GaN FET 驱动器

Texas Instruments LMG1210 是一款 200 V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为超高频高效率应用而设计，具有可调死区时间、超小传播延迟和 3.4 ns 高端/低端匹配，以优化系统效率。该器件具有内部 LDO，在任何电源电压下都可确保 5 V 的栅极驱动电压。

为了在各种应用中实现最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳阴极负载二极管为高压侧自举电容充电。当低压侧关闭时，内部开关关闭阴极负载二极管，有效防止高压侧自举过度充电并最大限度地减少反向恢复电荷。GaN FET 上的额外寄生电容低至 1 pF 以下，以降低额外的开关损耗。

LMG1210 具有两种控制输入模式，包括独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每路输出由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两路互补输出信号由单路输入产生，用户可以在 0 ns 至 20 ns 之间调整每个边沿的空载时间。LMG1210 可在 -40°C 至 +125°C 的宽温度范围内工作，采用低电感 WQFN 封装。