DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器

            DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器
  
                    Texas Instruments 的 DRV5012 超低功耗数字锁存霍尔效应传感器，VCC 范围为 1.65 V 至 5.5 V

Texas Instruments 的 DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器图片 Texas Instruments 的 DRV5012 器件是一款超低功耗数字锁存霍尔效应传感器，具有可通过选择的采样率。

当南磁极靠近封装顶部并超过 B_OP 阈值时，器件将驱动一个低电压。该输出会保持低电平直至施加北磁极且 B_RP 阈值被超越，这将导致输出驱动高电压。需要交替北极和南极来切换输出，集成磁滞将 B_OP 和 B_RP 分开以提供可靠的切换。

DRV5012 器件使用了一个使用内部振荡器，采样磁场并根据 SEL 引脚以 20 Hz 或 2.5 kHz 的速率更新输出。这种双带宽功能允许系统只需使用最小的功率即可监控运动的变化。

该器件工作在 1.65 V 至 5.5 V 的 V_CC 范围，并采用小 X2SON 封装。

特性
业界领先的低功耗引脚可选采样率： SEL = 低：20 Hz，使用 1.3 μA（1.8 V）时 SEL = 高：2.5 kHz，使用 142 μA（1.8 V）时工作 V_CC 电压范围为 1.65 V 至 5.5 V		高磁敏度：±2 mT（典型值）强磁滞：4 mT（典型值）推挽式 CMOS 输出小而薄的 X2SON 封装 -40°C 至 +85°C 工作温度范围
应用
增量旋转编码：电机速度机械行程流体测量旋钮旋转轮速		无刷直流电机传感器便携式医疗设备电子锁，电动自行车，电动百叶窗流量计非接触式激活

	图片	制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
		DRV5012AEDMRT	MAGNETIC SWITCH LATCH 4X2SON	1368 - 立即发货	$11.00	查看详情

发布日期： 2018-01-03

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特性
业界领先的低功耗引脚可选采样率： SEL = 低：20 Hz，使用 1.3 μA（1.8 V）时 SEL = 高：2.5 kHz，使用 142 μA（1.8 V）时工作 V_CC 电压范围为 1.65 V 至 5.5 V		高磁敏度：±2 mT（典型值）强磁滞：4 mT（典型值）推挽式 CMOS 输出小而薄的 X2SON 封装 -40°C 至 +85°C 工作温度范围
应用
增量旋转编码：电机速度机械行程流体测量旋钮旋转轮速		无刷直流电机传感器便携式医疗设备电子锁，电动自行车，电动百叶窗流量计非接触式激活

Texas Instruments 的 DRV5012 超低功耗数字锁存霍尔效应传感器，VCC 范围为 1.65 V 至 5.5 V