STGAP2SICSN 用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器
STMicroelectronics 的电隔离单通道栅极驱动器,用于碳化硅功率晶体管,采用 SO8 标准封装
STMicroelectronics 的 STGAP2SICSN 是电隔离单通道栅极驱动器,用于碳化硅功率晶体管,采用 SO8 标准封装。它利用最新的电隔离技术,为碳化硅提供了合适的隔离驱动器,占用空间小,允许 4.8 kV 瞬态过压声明。栅极驱动器具有 4 A 能力,可承受高达 1700 V 的高压轨。在整个温度范围内,dv/dt 瞬变抗扰度为 ±100 V/ns,确保对电压瞬变具有卓越的鲁棒性。
该器件提供两种配置。它们根据项目策略为外部元件提供高度灵活性和优化的物料清单。第一个选项具有单独的输出引脚,可通过使用独立电阻器优化独立开启和关闭。第二种配置具有单输出引脚和米勒箝位功能,可避免半桥拓扑中快速换向期间的栅极尖峰。
低至 3.3 V 的 CMOS/TTL 兼容逻辑输入,确保了与微控制器和 DSP 外设的直接接口。STGAP2SICSN 驱动器允许用户设计高可靠性系统,这得益于 UVLO 等集成保护功能,具有优化的 SiC MOSFET 值和热关断功能,当结温达到设置阈值,就会调低两个驱动器输出,从而在半桥产生高阻抗。
待机模式可用于减少空闲功耗。STGAP2SICSN 适用于电源转换和工业应用中的中高功率应用。STGAP2SICSN 采用 SO8N 封装。
- 高达 1700 V 的电压轨
- 高达 26 V 的栅极驱动电压
- 4 A 灌电流/拉电流
- 75 ns 短传播延迟
- 自举二极管
- 独立的电流灌入和拉出能力,便于进行栅极驱动调节
- 4 A 米勒箝位专用引脚选项
- 3.3 V/5 V 逻辑输入
- VCC 欠压闭锁 (UVLO)
- 热关断保护
- 窄体 SO8 封装
STGAP2SICSN Galvanically Isolated 4 A Single Gate Driver
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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![]() | ![]() | STGAP2SICSNTR | DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO | 1837 - 立即发货 | $16.61 | 查看详情 |
![]() | ![]() | EVSTGAP2SICSNC | EVAL BOARD FOR STGAP2SICSNC | 4 - 立即发货 | $418.55 | 查看详情 |
![]() | ![]() | EVSTGAP2SICSN | EVAL BOARD FOR STGAP2SICSN | 1 - 立即发货 | $418.55 | 查看详情 |