STGAP2SICSN 用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器

STMicroelectronics 的 STGAP2SICSN 是电隔离单通道栅极驱动器，用于碳化硅功率晶体管，采用 SO8 标准封装。它利用最新的电隔离技术，为碳化硅提供了合适的隔离驱动器，占用空间小，允许 4.8 kV 瞬态过压声明。栅极驱动器具有 4 A 能力，可承受高达 1700 V 的高压轨。在整个温度范围内，dv/dt 瞬变抗扰度为 ±100 V/ns，确保对电压瞬变具有卓越的鲁棒性。

该器件提供两种配置。它们根据项目策略为外部元件提供高度灵活性和优化的物料清单。第一个选项具有单独的输出引脚，可通过使用独立电阻器优化独立开启和关闭。第二种配置具有单输出引脚和米勒箝位功能，可避免半桥拓扑中快速换向期间的栅极尖峰。

低至 3.3 V 的 CMOS/TTL 兼容逻辑输入，确保了与微控制器和 DSP 外设的直接接口。STGAP2SICSN 驱动器允许用户设计高可靠性系统，这得益于 UVLO 等集成保护功能，具有优化的 SiC MOSFET 值和热关断功能，当结温达到设置阈值，就会调低两个驱动器输出，从而在半桥产生高阻抗。

待机模式可用于减少空闲功耗。STGAP2SICSN 适用于电源转换和工业应用中的中高功率应用。STGAP2SICSN 采用 SO8N 封装。