用于 GaN 晶体管的 STDRIVEG600 栅极驱动器
STMicroelectronics 的单芯片半桥栅极驱动器旨在用于增强型 GaN FET 或 N 沟道功率 MOSFET
STMicroelectronics 的 STDRIVEG600 是用于增强型 GaN FET 或 N 沟道功率 MOSFET 的单芯片半桥栅极驱动器。高侧部分设计用于承受最高 600 V 的电压。它适用于总线电压最高 500 V 的应用。由于具有大电流能力和典型条件下 45 ns 的短传播延迟以及低至 5 V 的工作电压,STDRIVEG600 可以驱动高速硅和 GaN FET。 dV/dt 抗扰度很高:±200 V/ns。STDRIVEG600 是一款强大的驱动器,在下部和上部驱动部分具有过热保护和 UVLO 功能,可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
联锁功能可避免跨导状况。逻辑输入与 CMOS/TTL 兼容,最低 3.3 V,便于与微控制器和 DSP 连接。另外,还提供用于关断功能的专用引脚。封装是 SO16。STDRIVEG600 可提供封装零件(PN 为 STDRIVEG600)和适合用于分切行业的晶圆(PN 为 STDRIVEG600w)。
- 电源电压 600 V
- 最高 20 V 栅极驱动器
- 5.5 A / 6 A 灌电流/拉电流
- 45 ns 短传播延迟
- 阴极负载二极管自举二极管
- 单独的 ON-OFF 输出,便于栅极驱动调整
- 3.3 V / 5 V 逻辑输入
- VCC 和 VBOOT 的 UVLO
- 热关断
- 联锁功能
- 关断引脚
- SO16 封装
STDRIVEG600 Gate Driver for GaN Transistors
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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![]() | ![]() | STDRIVEG600 | IC HALF BRIDGE DRVR 5.5A/6A 16SO | 688 - 立即发货 | $21.41 | 查看详情 |
![]() | ![]() | EVSTDRIVEG600DM | EVAL BOARD FOR STDRIVEG600 | 1 - 立即发货 | $671.05 | 查看详情 |
![]() | ![]() | EVSTDRIVEG600DG | EVAL BOARD FOR STDRIVEG600 | 2 - 立即发货 | $1,187.92 | 查看详情 |