用于 GaN 晶体管的 STDRIVEG600 栅极驱动器

STMicroelectronics 的 STDRIVEG600 是用于增强型 GaN FET 或 N 沟道功率 MOSFET 的单芯片半桥栅极驱动器。高侧部分设计用于承受最高 600 V 的电压。它适用于总线电压最高 500 V 的应用。由于具有大电流能力和典型条件下 45 ns 的短传播延迟以及低至 5 V 的工作电压，STDRIVEG600 可以驱动高速硅和 GaN FET。 dV/dt 抗扰度很高：±200 V/ns。STDRIVEG600 是一款强大的驱动器，在下部和上部驱动部分具有过热保护和 UVLO 功能，可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。

联锁功能可避免跨导状况。逻辑输入与 CMOS/TTL 兼容，最低 3.3 V，便于与微控制器和 DSP 连接。另外，还提供用于关断功能的专用引脚。封装是 SO16。STDRIVEG600 可提供封装零件（PN 为 STDRIVEG600）和适合用于分切行业的晶圆（PN 为 STDRIVEG600w）。