PowerFLAT™ SiC 二极管
STMicro 的 8 mm x 8 mm 二极管从设计到实施均具有出色的可持续性
STMicro 的 PowerFLAT 8 mm x 8 mm HV SiC 650 V 二极管提供 4 A、6 A 和 8 A 版本,由于采用紧凑型封装,因此可在小空间环境中轻松实现设计。二极管器件提供增强的功率集成以及最大化的生产效率和可持续性。由于 FLAT 封装具有高过流能力,MSL1 器件符合极其严格的应用条件。
特性
- 封装高度:<1 mm
- 高爬电封装
- 可忽略不计或无反向恢复
- 开关行为与温度无关
- 高正向浪涌能力
- 低压降正向电压
- 出色的电源效率
- 符合 ECOPACK®2 标准
应用
- 用于电信的 SMPS
- 服务器
- 工厂自动化
- 可再生能源
- UPS
- DIN 导轨
- 用于升压 PFC、自举或钳位功能的高频逆变器
PowerFLAT™ SiC Diodes
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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STPSC4H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 0 - 立即发货 | $27.92 | 查看详情 | ||
STPSC6H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 10686 - 立即发货 | $27.51 | 查看详情 | ||
STPSC8H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 5264 - 立即发货 | $33.37 | 查看详情 | ||
STPSC4H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 0 - 立即发货 | $27.92 | 查看详情 | ||
STPSC6H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 10686 - 立即发货 | $27.51 | 查看详情 | ||
STPSC8H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 5264 - 立即发货 | $33.37 | 查看详情 | ||
STPSC10H065DLF | DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 0 - 立即发货 | $41.03 | 查看详情 | ||
STPSC10065DLF | DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 0 ns | 2074 - 立即发货 | $38.18 | 查看详情 |
发布日期: 2019-05-02