PowerFLAT™ SiC 二极管

STMicro 的 8 mm x 8 mm 二极管从设计到实施均具有出色的可持续性

STMicro PowerFLAT™ SiC 二极管的图片STMicro 的 PowerFLAT 8 mm x 8 mm HV SiC 650 V 二极管提供 4 A、6 A 和 8 A 版本,由于采用紧凑型封装,因此可在小空间环境中轻松实现设计。二极管器件提供增强的功率集成以及最大化的生产效率和可持续性。由于 FLAT 封装具有高过流能力,MSL1 器件符合极其严格的应用条件。

特性
  • 封装高度:<1 mm
  • 高爬电封装
  • 可忽略不计或无反向恢复
  • 开关行为与温度无关
  • 高正向浪涌能力
  • 低压降正向电压
  • 出色的电源效率
  • 符合 ECOPACK®2 标准
应用
  • 用于电信的 SMPS
  • 服务器
  • 工厂自动化
  • 可再生能源
  • UPS
  • DIN 导轨
  • 用于升压 PFC、自举或钳位功能的高频逆变器

PowerFLAT™ SiC Diodes

图片制造商零件编号描述速度反向恢复时间 (trr)可供货数量价格查看详情
DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLATSTPSC4H065DLFDIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns0 - 立即发货$27.92查看详情
DIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLATSTPSC6H065DLFDIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns10686 - 立即发货$27.51查看详情
DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLATSTPSC8H065DLFDIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns5264 - 立即发货$33.37查看详情
DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLATSTPSC4H065DLFDIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns0 - 立即发货$27.92查看详情
DIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLATSTPSC6H065DLFDIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns10686 - 立即发货$27.51查看详情
DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLATSTPSC8H065DLFDIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns5264 - 立即发货$33.37查看详情
DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLATSTPSC10H065DLFDIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns0 - 立即发货$41.03查看详情
DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLATSTPSC10065DLFDIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT无恢复时间 > 500mA(Io)0 ns2074 - 立即发货$38.18查看详情
发布日期: 2019-05-02