STMicroelectronics

低电压 (30 V) STripFET™ H7 系列功率 MOSFET

STMicroelectronics 推出其具有极低导通电阻和超低电容的低电压 STripFET H7 系列功率 MOSFET

STMicroelectronics 的低电压 (30 V) STripFET™ H7系列功率 MOSFET 图片STMicroelectronics 的 STripFET H7 系列沟槽式栅低电压 (30 V)  MOSFET 适用于高密度、高性能电源管理系统，具有极低的导通电阻和超低电容，并内置优化型肖特基二极管，适合在诸如电信、主板和太阳能逆变器之类应用中用于实现更高的开关工作频率。 相比以前的 H5 和 H6 系列，该 STripFET H7 系列具有更低的单位芯片面积导通电阻，并因此通过减少并行器件数而简化了设计人员对高功率设计的需求。

特性

  • 较低导通电阻
  • 较低 Qg
  • 高雪崩稳固性

FETs-Single

图片制造商零件编号描述可供货数量价格
MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLATSTL105NS3LLH7MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT0 - 立即发货$19.78查看详情
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLATSTL160NS3LLH7MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT0 - 立即发货$21.33查看详情
发布日期： 2015-06-26

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