600 V MDMesh™ DM2 MOSFET

STMicroelectronics 推出适合工业应用的 600 V MDmesh DM2 MOSFET

STMicroelectronics 的 600 V MDmesh DM2 MOSFETS 图片STMicroelectronics 最新的高能效快速恢复二极管 MOSFET 系列具有极低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr),针对要求高开关性能的高电压全桥和半桥拓扑结构进行了优化。 这些 600 V 器件还具有超低 Qg、极低 Coss / Ciss,较低导通状态电阻以及高 dv/dt 稳健性。

主要特性
  • 快速恢复体二极管
  • 极低栅极电荷和输入电容
  • 低导通电阻
  • 较低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)
  • 100% 雪崩测试
  • 极高 dv/dt 稳健性
  • 齐纳保护

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247513 - 立即发货$51.77查看详情
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247925 - 立即发货$100.69查看详情
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK1660 - 立即发货$27.35查看详情
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO24764 - 立即发货$31.34查看详情
MOSFET N-CH 600V 50A TO247STW56N60DM2MOSFET N-CH 600V 50A TO2470 - 立即发货$98.09查看详情
发布日期: 2016-02-24