SMC Diode Solutions

S2M0080120N 1200 V 碳化硅 MOSFET

SMC Diode Solutions 的 MOSFET 非常适合太阳能逆变器和储能系统等具有挑战性环境中的应用

SMC Diode Solutions S2M0080120N 碳化硅 MOSFET 的图片SMC Diode Solutions 的 S2M0080120N 是采用 SOT-227 外壳封装的单 SiC 功率 MOSFET。该器件是高压 N 沟道增强型 MOSFET，在极端温度下具有非常低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。S2M0080120N 非常适合挑战性环境中的能量敏感、高频应用。

特性
  • 正温度特性易于并联
  • 低导通电阻：77 mΩ 典型 RDS(ON)
  • 开关速度快
  • 开关损耗低
  • 超快内在耐用型体二极管
  • 雾面锡电镀工艺
应用
  • 电动汽车快速充电模块
  • 电动车外接充电器
  • 太阳能逆变器
  • 在线式和工业用 UPS
  • SMPS
  • 直流/直流转换器
  • 储能系统

S2M0080120N Silicon Carbide MOSFET

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MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VS2M0080120NMOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V36 - 立即发货$206.23查看详情
发布日期： 2024-06-03