SCT2H12NZ 栅极驱动器电路

ROHM 的 SCT2H12NZ 为工业设备提供了辅助电源所需的高击穿电压。相比传统的硅 MOSFET，导通损耗降低了 8 倍，从而获得更高的能效。

针对工业设备中的辅助电源进行了优化

相比工业设备辅助电源中所用的1500 V 硅 MOSFET，SCT2H12NZ 的导通电阻小了 8 倍 (1.15 Ω)，且具有更高的击穿电压 (1700 V)。此外，紧凑的 TO-3PFM 封装保持了工业设备所需的爬电距离（沿着绝缘材料表面的测量距离）。ROHM 即将发布表面贴装型器件 (TO268-2L)，同时具有足够的爬电距离。

当与 ROHM 的专用 IC 配合使用时提升了能效

使用这款最新的 SiC MOSFET 并配合 ROHM 为 SiC MOSFET 驱动器设计的 AC/DC 转换器控制 IC (BD7682FJ LB)，使得该器件能够最大限度地提高性能并将能效提升 6%。相同时间发生的热将会减少，因此所需的散热元件就可以很小，从而可以使用更小的元器件。

3.75k 隔离

通过添加 BM61M41RFV 或 BM61S40RFV，用户便可拥有隔离电压为 3750 V_RMS、I/O 延迟时间为 65 ns、最小输入脉冲宽度为 60 ns 的栅极驱动器。它具有欠压锁定 (UVLO) 功能和米勒钳位功能。