RGWxx65C 系列带内置 SiC 二极管的混合 IGBT

ROHM 的 IGBT 反馈块中有低损耗 SiC 肖特基势垒二极管 (SBD)， RGWxx65C 系列利用其作为续流二极管，几乎没有恢复能量，因此二极管开关损耗是最小的。此外，由于在导通模式下恢复电流不必由 IGBT 处理，因此与传统 IGBT 中使用的硅快速恢复二极管 (FRD) 相比，IGBT 的导通损耗显著降低。当用于车辆充电器时，这两种效应共同产生作用。这样一来，与传统 IGBT 相比，损耗降低了 67%，与超级结 MOSFET (SJ MOSFET) 相比，损耗降低了 24%。这提供了良好的性价比，同时有助于降低工业和汽车应用中的功耗。

特性

与传统 IGBT 相比，损耗降低 67%，为流行的汽车电气控制单元和工业设备提供了最佳性价比。