ROHM Semiconductor

BV1HB045EFJ-C 高压侧开关

ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 汽车 IPD 系列高压侧开关内置电流检测功能单通道高压侧开关

ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 高压侧开关图片ROHM Semiconductor 汽车用 BV1HB045EFJ-C 单通道高压侧开关具有内置低功率输出关闭、开路负载检测、热关断保护和过流限制功能。它能够测量输出负载电流。

特性
  • 内置均流功能
  • 内置双 TSD（注：内置两种温度保护：结温和检测功率 MOS 突然升温的 ΔTj 保护）
  • 符合 AEC-Q100 标准（1 级）
  • 内置过流保护 (OCP) 功能
  • 内置热关断 (TSD) 保护功能
  • 内置开路负载检测功能
  • 内置低压输出关闭 (UVLO) 功能
  • 内置诊断输出
  • 低导通电阻单 N 沟道 MOSFET 开关
  • 控制单元 (CMOS) 和功率 MOSFET 安装在单个芯片上的单片电源管理 IC
主要规格
  • 电源工作范围 6 V 至 28 V
  • 导通电阻 (Tj = +25°C) 45 mΩ（典型值）
  • 过流限制 21.0 A（最小值）
  • 待机电流 (Tj = +25°C) 0.5 µA（最大值）
  • 有源钳位容差 (Tj = +25°C) 130 mJ
应用
  • 电阻负载电感和电容负载
发布日期： 2024-09-23

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