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M1000/M3000 系列 MRAM
Renesas 的高速、高性能、非易失性 MRAM 提供卓越的可靠性
Renesas MRAM 系列高速、高性能 108 MHz 非易失性 RAM 提供卓越的可靠性，并具有超过 20 年的数据保留能力。与非易失性 SRAM 相比，它不需要备用电池或电容器。M30xx 支持四路 SPI SDR 和 DDR 接口，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C（工业级版本），并提供 SOIC 或 WSON 封装。MRAM 器件非常适合高速非易失性存储器应用，例如程序存储和数据备份。
特性
- 非易失性存储器
- 高耐久性：> 10E16 周期
- 长期数据保留：> 20 年
- 快速读写，无需等待写入
- 具有硬件保护模式 (HPM)，用户可编程/锁定的特殊 NVM 和软件保护模式 (SPM) 的数据保护
- 无需备用电池
- 利用先进的 pMTJ STT-MRAM 技术
- 内存密度：4 Mb 至 16 Mb
- 高速 Quad SPI 接口，高达 108 MHz SDR 模式
- 最低有效写和读电流
- 独立的 256 字节用户可编程和可锁定 NVM
- 工业工作温度范围：−40°C 至 +105°C
- 电源电压：1.8 V、3 V
- 封装：8 引脚 SOIC 和 8 焊盘 WSON
应用
- 工业控制与自动化
- 医疗设备
- 可穿戴设备
- 网络系统
- 储存/RAID
- 汽车
MRAM Microcontroller
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | M30082040054X0IWAY | IC RAM 8MBIT SPI/QUAD 54MHZ 8DFN | 181 - 立即发货 | $177.45 | 查看详情 |
MRAM Evaluation Board
发布日期： 2020-06-17
