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PhotoMOS® HS WSSOP 1 Form A 低 C x R 半导体继电器

Panasonic PhotoMOS 半导体继电器体积小、电流消耗低，适用于测试与计量应用

Panasonic PhotoMOS® HS WSSOP 半导体继电器图片Panasonic PhotoMOS HS WSSOP 1 Form A 低 C x R 半导体继电器采用 1.45 mm x 2.2 mm x 1.75 mm 小型 WSSOP 封装，适用于高密度安装。PhotoMOS HS WSSOP 器件具有低电流消耗、高工作温度、快速开关速度以及低输出电容和低导通电阻等优异的高频通过特性。

PhotoMOS HS WSSOP 半导体继电器的漏电低至 10 nA，典型输出电容为 16 pF，典型导通电阻为 0.75 欧姆。该器件的负载输出额定值为 40 V 和 0.35 A，适用于 IC 测试仪、电路板测试仪、探针卡和其他测量设备。

特性和优势
  • 小型 WSSOP 封装，适合高密度安装
  • 0.15 mA 低电流消耗，节省能源
  • +125°C 的高工作温度性能
  • 0.025 ms 的高切换速度提高了吞吐能力
行业
  • 测试与计量
  • 电信
  • 工厂自动化
应用
  • IC 测试仪、探针卡和板测试仪
  • 电信设备
  • 工业设备

PhotoMOS® HS WSSOP 1 Form A Low C x R Semiconductor Relays

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发布日期： 2025-01-08