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NVHL N 沟道 EliteSiC MOSFET

onsemi 的 MOSFET 提供低电容和超低栅极电荷的高速开关

onsemi 的 NVHL N 沟道 EliteSiC MOSFET 图片onsemi NVHL N 沟道 EliteSiC MOSFET 建立在极为先进的技术之上。它们提供闪电般的快速转换和卓越的可靠性。EliteSiC 具有低导通电阻和紧凑尺寸，可大幅削减电容和栅极电荷，将高功率密度整合到极小的封装中。该产品充分利用每分每毫的电力，最大限度地提高效率并降低运营成本。它们采用微型封装，允许用户创建时尚、创新的系统，重新定义功率限制。EliteSiC 运行平稳，保持信号清洁、环境安静且不受噪音干扰。

特性
  • 符合 AEC-Q101 汽车标准要求
  • 超低栅极电荷
  • 具有低输出电容的高速开关
  • 二极管提供零反向恢复电流
  • 开尔文源配置
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 规范
应用
  • 汽车 DC/DC 和 PFC

NVHL N-Channel EliteSiC MOSFET

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-02-26