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NIV1161 ESD 保护二极管

onsemi 提供低电容 ESD 保护二极管，该器件可阻断对电池短路，适用于汽车中的高速数据线路

onsemi 的 NIV1161 ESD 保护二极管onsemi 的 NIV1161 设计用于保护高速数据线路免受 ESD 以及对车辆电池短路条件的危害。 超低电容和低 ESD 钳位电压，使该器件成为保护电压敏感型高速数据线路的理想解决方案，而其低 RDS(on) FET 又能限制信号线路上的失真。 采用直通式封装，因此易于 PCB 布局以及匹配必要的印制线长度，以保持如 USB 和 LVDS 协议等高速差分线路之间的阻抗一致。

特性 典型应用
  • 低电容（0.65 pF 典型值，I/O 至 GND）
  • I/O 之间的二极管电容匹配：1% 典型值
  • 优化的布局，以实现出色的高速信号完整性
  • 满足 IEC 标准的保护功能：IEC 61000-4-2（4 级）
  • 低 ESD 钳位电压
  • 通过 AEC-Q101 鉴定，具有 PPAP 能力
  • 汽车高速度信号对
  • USB2.0/3.0
  • LVDS
  • HDMI
  • APIX2

NIV1161 ESD Protection Diode

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TVS DEVICE MIXED 34V 6WDFNNIV1161MTTAGTVS DEVICE MIXED 34V 6WDFN1通用7590 - 立即发货$11.31查看详情
发布日期： 2016-03-01

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