FGY100T120RWD/FGY75T120SWD IGBT
onsemi 的 1200 V IGBT 采用功率 TO247-3L 封装,具有正温度系数和 +175°C TJ
onsemi FGY100T120RWD 和 FGY75T120SWD 采用新颖的场截止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,以 TP247 3 引线封装提供。
FGY100T120RWD 100 A 沟槽场截止 VII (FS7) 分立式 IGBT 提供最佳性能、低传导损耗和良好的开关可控性,可在电机控制、UPS、数据中心和大功率开关等各种应用中实现高效运行。
FGY75T120SWD 75 A FS7 分立式 IGBT 提供最佳性能,具有低开关和传导损耗,可在太阳能、UPS 和储能系统 (ESS) 等应用中实现高效运行。
- VCES:1200 V
- 最高结温:TJ = +175 °C
- 正温度系数
- 符合 RoHS 规范
- FGY100T120RWD
- 低传导损耗和优化开关
- 零件 100% 经过动态测试
- 短路额定
- FGY75T120SWD
- 低开关损耗
- 平滑且优化的切换
- FGY100T120RWD
- 电机控制
- UPS
- 数据中心
- 需要大功率开关的一般应用
- FGY75T120SWD
- 太阳能系统中的升压和逆变器
- UPS
- ESS
FGY100T120RWD/FGY75T120SWD IGBTs
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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FGY100T120RWD | IGBT FIELD STOP 1200V 200A TO247 | 112 - 立即发货 450 - 厂方库存 | $99.23 | 查看详情 | ||
FGY75T120SWD | IGBT FIELD STOP 1200V 150A TO247 | 426 - 立即发货 | $56.57 | 查看详情 |