FGY100T120RWD/FGY75T120SWD IGBT

onsemi 的 1200 V IGBT 采用功率 TO247-3L 封装,具有正温度系数和 +175°C TJ

onsemi 的 FGY100T120RWD/FGY75T120SWD IGBT 图片onsemi FGY100T120RWD 和 FGY75T120SWD 采用新颖的场截止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,以 TP247 3 引线封装提供。

FGY100T120RWD 100 A 沟槽场截止 VII (FS7) 分立式 IGBT 提供最佳性能、低传导损耗和良好的开关可控性,可在电机控制、UPS、数据中心和大功率开关等各种应用中实现高效运行。

FGY75T120SWD 75 A FS7 分立式 IGBT 提供最佳性能,具有低开关和传导损耗,可在太阳能、UPS 和储能系统 (ESS) 等应用中实现高效运行。

特性
  • VCES:1200 V
  • 最高结温:TJ = +175 °C
  • 正温度系数
  • 符合 RoHS 规范
  • FGY100T120RWD
    • 低传导损耗和优化开关
    • 零件 100% 经过动态测试
    • 短路额定
  • FGY75T120SWD
    • 低开关损耗
    • 平滑且优化的切换
应用
  • FGY100T120RWD
    • 电机控制
    • UPS
    • 数据中心
    • 需要大功率开关的一般应用
  • FGY75T120SWD
    • 太阳能系统中的升压和逆变器
    • UPS
    • ESS

FGY100T120RWD/FGY75T120SWD IGBTs

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IGBT FIELD STOP 1200V 200A TO247FGY100T120RWDIGBT FIELD STOP 1200V 200A TO247112 - 立即发货
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IGBT FIELD STOP 1200V 150A TO247FGY75T120SWDIGBT FIELD STOP 1200V 150A TO247426 - 立即发货$56.57查看详情
发布日期: 2023-10-13