1,200 V M3S 平面 SiC MOSFET

onsemi 的 MOSFET 采用带开尔文源配置的 D2PAK-7L 封装

onsemi 1,200 V M3S 平面 SiC MOSFET 的图片onsemi 的碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技术与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸也确保了低电容和低栅极电荷。因此具有了许多系统优势,包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度,更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

由于有开尔文源极配置和较低的寄生源电感,TOLL 封装提供了更好的热性能和出色的开关性能。TOLL 提供 1 级湿度敏感度 (MSL 1)。

特性
  • 具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
  • 优秀的 FOM (= RDSON * EOSS)
  • M3S 技术:22 mΩ RDS(ON),低 EON 和 EOFF 损耗
  • 15 V 至 18 V 栅极驱动
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无卤素且符合 RoHS 规范
应用
  • 工业应用
发布日期: 2023-05-15