1,200 V M3S 平面 SiC MOSFET

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            1,200 V M3S 平面 SiC MOSFET
  
                    onsemi 的 MOSFET 采用带开尔文源配置的 D2PAK-7L 封装

onsemi 1,200 V M3S 平面 SiC MOSFET 的图片 onsemi 的碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技术与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸也确保了低电容和低栅极电荷。因此具有了许多系统优势，包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

由于有开尔文源极配置和较低的寄生源电感，TOLL 封装提供了更好的热性能和出色的开关性能。TOLL 提供 1 级湿度敏感度 (MSL 1)。

特性

具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
优秀的 FOM (= R_DSON * E_OSS)
M3S 技术：22 mΩ R_DS(ON)，低 E_ON 和 E_OFF 损耗

15 V 至 18 V 栅极驱动
100% 通过雪崩测试
无卤素且符合 RoHS 规范

应用

工业应用

发布日期： 2023-05-15

1,200 V M3S 平面 SiC MOSFET

onsemi 的 MOSFET 采用带开尔文源配置的 D2PAK-7L 封装

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