MRFX 系列射频晶体管
NXP 的 65 V LDMOS 射频功率晶体管适用于高 VSWR 工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用
NXP 的 MRFX 系列射频晶体管的额定功率为 1800 W(连续波)。这些产品基于 NXP 内部实验室开发的 65 V LDMOS 技术,专为实现高性能和易用性而设计。65 V 漏极电压提升了输出阻抗,并确保更高的击穿电压。这些器件可直接替换 NXP 的 1250 W、1500 W 和 1800 W 晶体管,帮助客户打造适用多个最终产品的单一可扩展平台。随着射频在各种工业应用中变得普及,NXP 为射频功率工程师们提供了一种能缩短设计周期的方法。
NXP 还提供 1800 W 塑料封装 MRFX1K80N。这种封装实现了更高的射频输出功率和 30% 的较低热阻。该器件引脚兼容陶瓷 MRFX1K80H。
供货和开发支持
采用气腔陶瓷封装的 MRFX1K80H 晶体管目前进行样品试制,预期在 2017 年 8 月量产。现提供适合 27 MHz 和 87.5 MHz 至 108 MHz 应用的参考电路。随着 MRFX1K80H 的发布,NXP 将提供包塑版本 MRFX1K80N,从而将热阻降低了 30%,实现进一步的可靠性和易用性。
特性
- 更高的功率 - 更高的电压实现更高的输出功率,这有助于降低需要组合的晶体管数量,简化了功率放大器复杂性并减小其尺寸。
- 更快的开发时间 - 由于使用更高的电压,可以在增大输出功率的同时保留合理的输出阻抗。这简化了 50 Ω 匹配,尤其是在宽带应用中。更快的匹配大大加快了开发时间。
- 设计重用 - 阻抗的优势还可确保与现有 50 V LDMOS 晶体管实现引脚兼容,使射频设计人员可重复使用现有的印刷电路板 (PCB) 设计,进一步加快产品上市速度。
- 易于管理的电流水平 - 更高的电压降低了系统电流,减少了 DC 电源负荷,并降低了磁辐射。
- 宽安全裕量 - NXP 65 V LDMOS 技术的击穿电压为 182 V,从而提高了可靠性并可实现更高效率架构。
- 激光发生
- 等离子蚀刻
- 磁共振成像 (MRI)
- 皮肤护理和治疗
- 粒子加速器和其它科学应用
- 无线电和极高频率 (VHF) 电视广播发射器
- 工业加热、焊接、固化或干燥机
MRFX Series RF Transistors
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 查看详情 | |
---|---|---|---|---|---|
MRFX1K80HR5 | RF MOSFET LDMOS 65V NI1230 | 61 - 立即发货 | 查看详情 | ||
MRFX1K80H-128MHZ | MRFX1K80H REF BRD 128MHZ 3775W | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
MRFX1K80H-230MHZ | MRFX1K80H REF BRD 230MHZ 1800W | 0 - 立即发货 | 查看详情 |