采用 TO-220 封装的 100 W 射频功率晶体管

NXP 射频 LDMOS 晶体管采用行业标准封装类型,提供多种引脚选项,简化了生产制造

采用 TO-220 封装的 NXP 100 W 射频功率晶体管图片NXP MRF101AN 和 MRF101BN 100 W 射频功率晶体管设计用于 VHF/UHF 通信、VHF 电视广播、航空航天应用以及工业、科学和医疗应用。这些器件非常坚固,具有高达 250 MHz 的高性能。

LDMOS 技术现在可用于流行的 TO-220 功率封装的这些射频晶体管,使客户能够利用完善的装配工艺。这些晶体管提供非常紧凑的 1.8 MHz 至 250 MHz 参考电路,可供重复使用,从而节省大量成本并缩短产品上市时间。

 采用 TO-220 封装的 NXP 100 W 射频功率晶体管图片

视频:NXP 为射频功率带来标准封装

特性
  • 额定功率 100 W(连续波)
  • 1.8 MHz 至 250 MHz
  • 50 V LDMOS
  • 无与伦比的输入和输出
  • 1.1°C/W 热阻
  • 极高坚固性:处理 65:1 VSWR
  • 保证至少在 2033 年之前可供货
  • 标准 TO-220 包塑封装提供低成本、灵活的安装选项
  • 参考电路共享相同的 PCB 布局,从而可以在频率上重复使用设计
  • 镜像引脚配置支持推挽设计
应用
  • 工业、科技和医疗 (ISM)
    • 激光发生
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器
    • MRI 和其它医疗应用
    • 工业加热、焊接和干燥
  • 广播
    • 电台广播
    • VHF 电视广播
  • 移动无线电
    • VHF 基站
  • HF 和 VHF 通信
  • 开关模式电源

100 W RF Power Transistors in TO-220 Package

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RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3MRF101ANRF MOSFET LDMOS 50V TO220-3178 - 立即发货$228.74查看详情
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Reference Circuits

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发布日期: 2019-01-04