MCU7D5N10YL/MCAC7D5N10YL 100 V N 沟道 FET

Micro Commercial Components MCU7D5N10YL 和 MCAC7D5N10YL N 沟道功率 MOSFET 具有多功能性和执行力。

分栅极沟槽 (SGT) 技术、100 V 容量和仅 7.5 mΩ 的导通电阻相结合，为各种电子系统提供独特的优势，包括提高效率和快速切换以实现优化操作。

无引线 DFN5060 封装消除了空间限制，使其非常适合新设计，而 DPAK 选项则简化了现有产品的升级，只需进行最少的调整。

MCC 的双重封装方法确保了各种设计需求的适应性和兼容性，同时简化了选择，而不会牺牲性能或集成便利性。这些 MOSFET 是满足不断变化的需求和苛刻的应用（例如电池管理系统 (BMS)、照明控制、电机驱动器等）的绝佳解决方案。