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逻辑电平 30 V 至 60 V N 沟道 MOSFET

MCC 的 MOSFET 采用紧凑的 DFN5060 封装，提供更出色的栅极控制和低导通电阻

MCC 逻辑电平 N 沟道 MOSFET 的图片MCC 的 30 V MCAC1D1N03YL、40 V MCAC1D4N04YL 和 60 V MCAC2D7N06YL 逻辑电平 N 沟道 MOSFET 可以简化设计并提高效率。这些组件具有独特的优势，可以通过 I/O 端口直接由 MCU 驱动 MOSFET。一些阈值电压为 1 V 或更低的逻辑电平 MOSFET 对于某些应用来说过于敏感，从而导致误触发。

这些逻辑电平 MOSFET 在设计上具有 1.2 V 和 2.3 V 的略高 VGS(th) 值范围，有助于控制灵敏度并确保可靠性。该器件采用先进的分裂栅极沟槽 (SGT) 技术，可提高热性能并将 RDS(ON) 值范围降低为 1.1 mΩ 至 2.7 mΩ，以最大限度地减少损失。DFN5060 高功率密度封装确保适合紧凑型设计需求。同时，逻辑电平门阈值电压可从 MCU I/O 端口直接驱动，从而减少了对其他组件的需求。

MCC 的逻辑级 MOSFET 解决了设计难题，同时增强了各种应用的操作和效率。

特性
  • SGT 技术提高效率和性能
  • 优异的热性能保证大功率条件下的稳定运行
  • 低 RDS(ON)：1.1 mΩ 至 2.7 mΩ，提供更高的电流容量并降低功率损耗
  • 高功率密度 DFN5060 封装支持紧凑设计需求
  • 逻辑电平门阈值电压允许从 MCU I/O 端口直接驱动，从而简化设计
应用
  • 电池管理系统
  • 照明控制
  • 电机驱动
  • 直流/直流转换器
  • 低压侧开关

Logic-Level N-Channel MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-07-09