Micro Commercial Co

场截止沟槽式 IGBT 系列

MCC 的场截止沟槽式 IGBT 系列器件允通电流为 40 A，电压最高 650 V 和 1200 V

MCC 的场截止沟槽 IGBT 系列图片随着场截止沟槽技术的引入，Micro Commercial Components 继续在功率半导体市场扩展产品。第一个 IGBT 器件允许最大 650 V 和 1200 V 的电压产生 40 A 的电流。其他电压和电流值正在开发中。场截止沟槽技术可提供低传导性（低 Vce (sat)）和低开关损耗（低 EOFF），并且由于正温度系数而允许并联。这些 IGBT 的典型应用是电机或可再生能源、UPS、焊接和感应加热的逆变器所需的半桥或全桥拓扑。

特性
  • 低 Vce(sat) 实现快速开关
  • Vce(sat) 具有正温度系数
  • 坚固耐用，热稳定性好
  • 非常严格的参数分配
  • 无卤素
  • 环氧树脂达到 UL 94 V-0 可燃性等级
  • 无铅表面、符合 RoHS 规范
应用
  • 逆变器驱动
  • 太阳能逆变器
  • UPS
  • 焊接
  • 感应加热

Field Stop Trench IGBT Series

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IGBT 1200V 40A TO-247MIW40N120-BPIGBT 1200V 40A TO-2470 - 立即发货$30.74查看详情
IGBT 650V 40A TO-247MIW40N65-BPIGBT 650V 40A TO-247305 - 立即发货$33.78查看详情
发布日期： 2021-03-04

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650 V 和 1200 V IGBT MCC 的 IGBT 采用沟槽场截止技术，可提供卓越的电流传导能力、低传导损耗和低开关损耗。