SESD 系列硅 ESD 保护器件

• 低电容：0.10 pF（双向，典型值）、0.20 pF（单向，典型值）
• 低漏泄电流：50 nA 和 5 V（最大值）
• 低箝位电压：+10/-10 V（典型值，双向）和 +9.20/-0.8 V（典型值，单向）（tp=8ms x20 ms、Ipp=2A）
• ESD：IEC61000-4-2 标准规定的 20 kV 接触/空气放电
• 浪涌：2 A（最大值）和 (tp = 8x20ms)，符合 IEC61000-4-5 标准规定
• 小体积、扁平 XDFN 封装
• 符合 RoHS 规范，无铅、无卤素（具体指 Br ≤900 ppm、Cl≤900 ppm 和 Br + Cl ≤1500 ppm）

• 低电容有助于高速数据信号实现低插损
• 按照 IEC61000-4-2 标准提供高达 20kV 的接触和空气放电 ESD 保护
• 针对高速数据信号的小尺寸 ESD 保护二极管（0402 和 0201 规格器件）
• 有助于保护电子电路免受静电放电 (ESD)、雷电和电缆放电事件的损害
• 帮助设备通过 IEC61000-4-2 4 级测试

• 消费、移动和便携式电子设备
• 带有高速接口的平板电脑和外部存储设备
• 高速数据线路
• USB 3.0/2.0、HDMI 1.3/1.4、DisplayPort 接口、Thunderbolt 接口（光峰）、V-by-One HS 和 LVDS 接口
• 要求在小型封装中实现高 ESD 性能的应用

Littelfuse TVS 二极管阵列 （电子书格式）