650 V XPT™ 第 5 代 A5/B5/C5 分立式 IGBT

Littelfuse 650 V XPT 第 5 代 A 类 IGBT 是低速器件，针对要求开关频率在 0 kHz 至 5 kHz 范围内的应用进行了优化。这款 IGBT 经过优化，浪涌电流能力高，栅极电荷 Q_g 低，因此对栅极驱动的要求较低。第 5 代 A 类提供高功率密度的分立器件。T_C = +110°C 时，集电极直流电流可达到 220 A。导通电压温度系数 V_CE（SAT） 为正，有助于简化并联。低热阻简化了与热相关的设计问题。

650 V XPT 第 5 代 B 类 IGBT 是中速设备，针对要求开关频率在 5 kHz 至 30 kHz 范围内的应用进行了优化。这款 IGBT 经过优化，浪涌电流能力高，栅极电荷 Q_g 低，因此对栅极驱动的要求较低。第 5 代 B 类提供高功率密度的分立器件。TC = +110°C 时，集电极直流电流可达到 200 A。导通电压温度系数 V_CE（SAT） 为正，有助于简化并联。低热阻简化了与热相关的设计问题。

650 V XPT 第 5 代 C 类 IGBT 是高速器件，针对要求开关频率在 20 kHz 至 60 kHz 范围内的应用进行了优化。这款 IGBT 经过优化，浪涌电流能力高，栅极电荷 Q_g 低，因此对栅极驱动的要求较低。第 5 代 C 类提供高功率密度的分立器件。TC = +110°C 时，集电极直流电流可达到 100 A。导通电压温度系数 V_CE（SAT） 为正，有助于简化并联。低热阻简化了与热相关的设计问题。