用于 UPS 的高电压功率 MOSFET CoolMOS™ P6

Infineon 的电路板产品组合采用高功率砖形装置，能够全面应对 USP 解决方案市场要求的变化，如不断增加的数据流量（= 云数据）导致的模块化，且拓扑结构已从 2 级过渡至 3 级。这种拓扑结构的过渡主要发生在中等功率/高功率 UPS 中，其原因在于竞相追求更高能效和更高性能。对于像小型/家庭办公等成本驱动型市场中的 UPS 解决方案，则采用低于 10kVA 的低功率 UPS 应用。为满足工业和服务器领域的服务要求，则需要采用 20kVA 以上功率等级更高的 UPS 解决方案。

Infineon 的系统解决方案

  • 适于工业/服务器领域应用的性能优化型解决方案：CoolMOS™ P6/C7
  • 适于小型/家庭办公领域应用的价格优化型解决方案：TRENCHSTOP™ 5

Infineon 解决方案的优势：

  • 更高能效使成本降低、无源元件用量减少
  • 完整的系统级方法
  • 业内一流的生命周期支持 (OEM)
  • 灵活的 infineon 产品组合
  • IFX 是“Plattform Industrie 4.0”的成员，拥有高度先进的 FE 晶圆工厂

Infineon 提供针对以下应用中的 UPS 解决方案的产品：

  • 在小型/家庭办公应用中（主要由成本驱动的市场），用于低功率级 UPS 解决方案： <10kVA
  • 在如模块化等趋势驱动的工业和服务器应用中，用于 20 kVA 以上功率等级的 UPS 解决方案

Infineon 的 UPS 解决方案 (<10kVA - 20kVA)

Infineon 的 UPS 解决方案

转换级中的功率 MOSFET 要求

  • 低导通电阻
  • 良好的开关性能
  • 坚固耐用（硬式整流）

匹配功率 MOSFET

  • CoolMOS™ P6
    是一款价格/性能优化型超级结 MOSFET，既能把所有这些参数发挥到极致，又易于设计导入。
  • CoolMOS™ C7
    CoolMOS™ C7 是实现最高能效的不二选择，并为您提供全球最低的 RDS(on) / 封装。
  • 创新封装
    象 TO-247 4 引脚封装一样，使 CoolMOS™ C7 更具优势，能减少功率 MOSFET 源极引线的寄生电感。
CoolMOS™ P6 CoolMOS™ C7
RDS(on)=41mΩ RDS(on)=45mΩ
IPW60R041P6FKSA1 IPW65R045C7
  IPZ65R045C7

三级逆变器型

三级逆变器
箭头图标   箭头图标   箭头图标
价格优化型   价格/性能优化型   性能优化型
  • TRENCHSTOP™ 分立式 IGBT (600/650V)
  • thinQ!™ SiC 二极管
  
  • 600V CoolMOS™ P6
  • thinQ!™ SiC 二极管
  
  • 600V CoolMOS™ C7
  • thinQ!™ SiC 二极管

通用电源 B6 桥电路
  价格优化型  
  • 6 个 TRENCHSTOP™ 分立式 IGBT（600V/ 650V 和/或 1200V），采用 B6 桥配置
功率级 IFX 元件 产品 选择
ESD 系列 TVS 二极管 查看产品组合
XMC 4000 系列 微控制器 查看产品组合
650V TRENCHSTOP™ 5 单 IGBT
IGBT DuoPack		 查看产品组合
或
600V CoolMOS™ P6 高电压 MOSFET IPW60R041P6FKSA1
或
650V CoolMOS™ C7 高电压 MOSFET IPW65R045C7
IPZ65R045C7
 
600V / 1200V TRENCHSTOP™ 2 IGBT 查看产品组合
600V / 1200V EiceDRIVER™ 栅极驱动器 查看产品组合
650V thinQ!™ 第 5 代 SiC 二极管 查看产品组合
  快速 1 型和 2 型二极管 SiC 功率二极管 查看产品组合
  DC/DC 转换器 DC/DC 转换器 IFX91041
工业稳压器 工业稳压器 查看产品组合
OptiMOS™ 40V-80V 低电压功率 MOSFET 查看产品组合
StrongIRFET™ 40V-75V 查看产品组合
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