用于无线充电的功率 MOSFET

无线充电市场有两大主导标准：电感 (Qi) 和谐振（谐振 AirFuel）。 Infineon 提供符合两大标准的（解决方案）功率 MOSFET，是国际领先无线充电联盟 — 无线充电联盟 (WPC) 和 AirFuel 的现任成员。

什么是无线充电？

无线充电时，通过电磁场将电能从发射器转移到接收器应用，从而对相应电池进行充电。 这种技术带来的众多好处之一是可以省去转移电能所需的物理连接器和电缆。

为什么选择无线充电？

与有线解决方案相比，无线充电拥有诸多优势。 如前文所述，无线充电技术无需连接器和电缆；由于减少了灰尘、水等物质的进入点，这一特征也提高了无线充电在恶劣环境中的可靠性。 除此之外，无线充电还具备更多优势，例如安全性更高、无需再为不同的设备费力配备不同的插头、可同时为多个设备充电，以及能够在公共场所轻松充电，不一而足。

BSZ0909ND OptiMOS™ 半桥

Infineon 用于无线充电和驱动器的优化解决方案

BSZ0909ND 图片

BSZ0909ND 是无线充电或驱动器（例如无人机和多旋翼直升机）架构的绝佳选择，使设计人员能够简化布局，并在不影响能效的情况下大幅节省空间。

OptiMOS™ 技术与 PQFN 3x3 封装完美结合，可为空间要求高的 DC/DC 应用提供优化解决方案。

另外，在开关速度快方面，BSZ0909ND 是业内的领先产品。 BSZ0909ND 采用栅极电荷与 RDS(on) 乘积 (Qg*RDS(on)) 的优化品质因数，可在 6.78 MHz 频率下降低开关和传导损耗。

特性 优势 应用
  • 超低 Qg
  • 3.0 x 3.0 mm2 小型封装外形
  • 裸焊盘
  • 逻辑电平（额定电压 4.5 V）
  • 符合 RoHS 规范 6/6
    （完全无铅）
  • 低开关损耗
  • 高开关工作频率
  • 最低寄生效应
  • 低工作温度
  • 低栅极驱动损耗
  • RoHS 6/6 无铅产品
  • 无线充电
  • 驱动器
    （例如多旋翼直升机）
销售名称 封装 RDS(on)max.
@VGS= 4.5 V
[mΩ]		 Qg
@VGS= 4.5 V
[nC]		 Rth(ja)
[°C/W]
BSZ0909ND WISON-8 25.0 1.8 65.0
BSZ0909ND 图标

IR MOSFET™ - IRL60HS118 和 IRL80HS120

Infineon 用于无线充电和驱动器的优化解决方案

IR Mosfet 图片

Infineon 的 IR MOSFET™ IRL60HS118 和 IRL80HS120 - 逻辑电平功率 MOSFET - 尤其适用于无线充电应用。 PQFN 2 x 2 封装尤其适合高速开关和外形尺寸关键的应用，具有高功率密度和优化的能效，并大幅节省空间。

低栅极电荷 Qg 降低了开关功耗，却不会导致传导损耗。 尽管栅极电荷较低，与次优的替代产品相比，逻辑电平产品实现了更低的 RDS(on)。 经改善的品质因数 (FoM) 支持在高开关频率下工作。 此外，逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压 VGS(th)，允许 MOSFET 以 5 V 电平或者直接由微控制器驱动。

特性 优势 应用
  • 最低 FOM [RDS(on) x Qg/gd]
  • 经优化的 Qg、COSS 和 QRR
    ，支持快速开关
  • 逻辑电平兼容性
  • 微型 PQFN 2 x 2 mm 封装
  • 最小封装基底面
  • 更高的功率密度设计
  • 更高的开关频率
  • 有 5 V电源可用时，
    可减少零件数量
  • 由微控制器直接驱动
    （低开关速度）
  • 降低系统成本
  • 无线充电
  • DC-DC 转换器
  • 适配器
封装 产品 电压等级
[V]		 RDS(on)（最大值）@ 4.5VGS
[MΩ]		 Qg（典型值）@ 4.5VGS
[nC]		 FOMg
PQFN
2 x 2		 IRL80HS120 60 24 5.3 97.0
IRL60HS118 80 42 4.7 150.4

谐振 AirFuel (A4WP)

谐振 AirFuel (A4WP) 标准适用于电能传输（特别是无线充电），根据磁共振原理使用了 6.78 MHz 的相对高频。 为实现 MHz 开关，Infineon 已发布了一款出色的双通道 MOSFET，工作电压为 30 V (BSZ0909)，专门用于谐振 D 类逆变器的设计。

  电感单线圈 电感多线圈 磁共振
标准型 Qi 或电感 AirFuel (PMA) 100-300 kHz Qi 或电感 AirFuel (PMA) 100-300 kHz 谐振 AirFuel (A4WP) 6.78 MHz
接收器应用定位 精确定位 定位更灵活（典型值 <10 mm 垂向自由度） 自由定位（典型值高达 50 mm 垂向自由度）
可充电设备数量 仅一台设备充电 多台设备充电 多台设备充电
Rx-Tx 通信 带内通信 低功耗蓝牙通信

除了卓越的 30 V 双通道 MOSFET，我们还推出了许多用于谐振 D 类和 E 类设计的其他元器件。

零件编号 电压 封装 描述 拓扑
IRLHS6376TRPbF 30 V 2x2 PQFN Dual IR MOSFET ™ D 类
BSZ0909ND 30 V 3.3 x3.3 PQFN Dual N 沟道功率 MOSFET D 类
BSZ0506NS 30 V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET D 类
BSZ065N03LS 30 V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET D 类
BSZ300N15NS5 150 V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET E 类
BSZ900N15NS3 150 V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET E 类
BSZ900N20NS3 200 V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET E 类
BSZ22DN20NS3 200 V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET E 类
BSZ42DN25NS3 250V 3.3x3.3 PQFN N 沟道功率 MOSFET E 类
BSZ0909ND 图标
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