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600 V、10.2 A、380 mΩ、N 沟道 SuperFET® II MOSFET

On Semiconductor 的高电压超级结 MOSFET 采用充电平衡技术

Fairchild 的 N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、10.2 A、380 mΩ 器件图片 SuperFET® II MOSFET 是 On Semiconductor® 的第一代采用电荷平衡技术的高电压超级结 (SJ) MOSFET 系列，可实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。 这种先进的技术经过针对性调整，最大限度地减少了导通损耗，具有出色的开关性能并承受极高的 dv/dt 速率、更高的雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合各种 AC/DC 电源转换，用于实现系统小型化和更高的能效。

特性
  • 650 V，TJ = 150°C 时
  • 最大 RDS(on) = 380 mΩ
  • 超低栅极电荷（典型 Qg = 34nC）
  • 低值、高效输出电容（典型 C0SS. eff = 97pF）
  • 100% 雪崩测试
应用
  • 不间断电源
  • PDP TV
  • PC 服务器
  • 笔记本电脑
  • 照明
  • LED 电视
  • LCD TV
  • LCD 监视器
  • EMS
  • DVD/机顶盒
  • 台式 PC
  • DC-DC 商用电源
  • 家用电器
  • AC-DC 商用电源
发布日期： 2013-09-17

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