FDMS86181 PowerTrench® MOSFET

onsemi 提供具有更高能效、更低开关噪声的 FDMS86181 MOSFET,提升了 EMI 和热性能

Fairchild 的 FDMS86181 PowerTrench® MOSFET 图片onsemi 早在二十世纪 90 年代即已帮助先驱厂家开发出沟槽式 PowerTrench MOSFET,并且自那时起一直在完善 MOSFET 技术,现已开发并生产出数以千计的适合任何应用的产品组合。

onsemi 先进的 100 V、FDMS86181 屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET 是这一产品大家族的最新成员,它具有目前同级别产品当中最小的 RDS(ON)、Qrr 以及最短的反向恢复时间,同时又能实现最高的能效。 FDMS86181 的电压过冲接近于零,因此降低了电压瞬时振荡并提升了 EMI 性能,适合需要额定 100 V MOSFET 的电源和电机驱动应用。 其更高的功率密度带来了更宽的 MOSFET 降额,让设计人员免于过度设计。

FDMS86181 是该系列即将推出的首款器件,具有多个电压和封装选择。

特性
  • Qrr 值降低了 50%,可最大限度地减少瞬时振荡并消除了缓冲器——低于其同类竞争产品
  • RDS(ON) 降低了 40%,提高了能效——成为具有业内最低导通电阻的 100 V 级别产品(在此前已是业内最佳的前一 onsemi 版本基础上进一步降低)
  • Irrm 降低 45%,从而降低了 EMI
  • 更佳的 FOM 实现了高效快速开关
  • 同级最佳 P 沟道和 N 沟道技术
  • 更高的工作温度

FDMS86181 PowerTrench MOSFET

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MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFNFDMS86181MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN8264 - 立即发货$22.63查看详情
发布日期: 2016-03-22