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uP1966E GaN FET 专用 80 V 半桥栅极驱动器

EPC 与 uPI Semiconductor 合作推出采用 uP1966 的 GaN 解决方案，旨在降低 GaN 设计的成本，缩短其上市时间

EPC uP1966E GaN FET 专用 80 V 半桥栅极驱动器图片EPC uP1966E 旨在驱动半桥拓扑中的高压侧和低压侧 GaN FET，两个通道的工作频率均为几兆赫兹。这种高速性能可确保高效可靠的运行，非常适合需要快速开关的应用。

特性
  • 0.4 Ω/0.7 Ω 下拉/上拉电阻
  • 快速传播延迟（典型值 20 ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值 8 ns/4 ns）
  • 可调节输出，实现开/关功能
  • CMOS 兼容输入逻辑（不受电源电压影响）
  • 电源输入欠压锁定
应用
  • DC/DC 转换器
    • 数据中心
    • 人工智能服务器
  • AC/DC 和 DC/DC 同步整流
  • 负载点转换器
  • D 类音频
  • LED 照明

uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSPUP1966EIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP44206 - 立即发货$28.16查看详情
发布日期： 2024-10-08

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