uP1966E GaN FET 专用 80 V 半桥栅极驱动器
EPC 与 uPI Semiconductor 合作推出采用 uP1966 的 GaN 解决方案,旨在降低 GaN 设计的成本,缩短其上市时间
EPC uP1966E 旨在驱动半桥拓扑中的高压侧和低压侧 GaN FET,两个通道的工作频率均为几兆赫兹。这种高速性能可确保高效可靠的运行,非常适合需要快速开关的应用。
特性
- 0.4 Ω/0.7 Ω 下拉/上拉电阻
- 快速传播延迟(典型值 20 ns)
- 快速上升和下降时间(典型值 8 ns/4 ns)
- 可调节输出,实现开/关功能
- CMOS 兼容输入逻辑(不受电源电压影响)
- 电源输入欠压锁定
应用
- DC/DC 转换器
- 数据中心
- 人工智能服务器
- AC/DC 和 DC/DC 同步整流
- 负载点转换器
- D 类音频
- LED 照明
uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs
发布日期: 2024-10-08