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EPC2055 29 A 40 V eGaN® FET

EPC 的 40 V、3 mΩ eGaN FET 以很小的基底面提供 161 A 的脉冲电流额定值

EPC EPC2055 29 A 40 V eGaN® FET 图片EPC EPC2055 是一款 40 V、3 mΩ eGaN FET，具有 161 A 额定脉冲电流，采用 3.75 mm² 小型基底面。该器件非常适合对空间受限的外形要求苛刻性能的应用，包括 USB-C™ 电池充电器和超薄负载点 (POL) 转换器。

应用
  • USB-C 充电器
  • 超薄 POL 转换器
  • LED 照明
  • 12 V 至 24 V 输入电机驱动器
  • 适用于机器人、无人机和自动驾驶汽车的激光雷达
  • D 类音频

EPC2055 29 A 40 V eGaN® FET

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）可供货数量价格查看详情
GANFET N-CH 40V 29A DIEEPC2055GANFET N-CH 40V 29A DIE40 V29A（Ta）5V9844 - 立即发货$21.90查看详情
发布日期： 2021-02-05

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