DFN0606 NPN 和 PNP 晶体管

Diodes 的 DFN0606 晶体管仅占用 0.36 mm² 的板空间，比直接竞争零件 DFN1006 (SOT883) 小 40%，且拥有相同或更好的电气性能。 这些器件的板外高度仅为 0.4 mm，非常适合用于如智能手表、健康和健身设备等可穿戴技术，以及诸如智能手机和平板电脑等其它空间受限的消费产品。

Diodes 最初的 DFN0606 双极晶体管产品是两款能够处理高达 830 mW 耗散功率的 NPN 和 PNP 器件。 40 V 级 MMBT3904FZ 和 MMBT3906FZ 器件显著提升了功率密度，还能提供 200 mA 高集电极电流 ，而 45 V 级 BC847BFZ 和 BC857BFZ 则能提供 100 mA 集电极电流。 所有器件在基极发射极电压低于 1 V 时导通，从而使它们能在极低的便携式电源条件下完全导通。

特性

• 0.36 mm 基底面和 0.4 mm 板上高度——设计人员能利用这些小体积器件减少 PCB 面积，且其性能优于采用较大封装的同类晶体管。
• 更高功率密度——DFN0606 无引线封装导热效率高且热电阻仅为 135°C/W，因此能实现更高的功率密度。
• 导通 VBE <1 V——BJT 能使低压应用在低于 1 V 时进行切换，从而能使便携式应用在低功耗条件下完全导通。