DFN0606 小型 MOSFET

Diodes Incorporated 针对空间关键型产品设计进一步扩大了其超小分立式产品的阵容。 该公司日前宣布推出三款采用 DFN0606 微小型封装的小信号 MOSFET：额定电压为 20 V 和 30 V 的 N 沟道晶体管和额定电压为 30 V 的 P 沟道零件。

这些器件的基底面仅为 0.6 mm x 0.6 mm 且每个器件所需板空间比常见的 DFN1006 (aka SOT883) 封装 MOSFET 减少了 40%，使之成为下一代可穿戴技术、平板电脑和智能手机的理想选择。

DMN2990UFZ（20 V N 沟道）、DMN31D5UFZ（30 V N 沟道）和 DMP32D9UFZ（30 V P 沟道）系列能够实现与多种较大 DFN1006 封装零件类似的或更出色的性能，设计旨在最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

• 0.36 mm² 基底面——比 DFN1006/SOT883 封装占用的的板空间小了 40%，帮助设计人员在保持性能不变的情况下减小设计
• DFN0606 扁平封装——离板高度为 0.4 mm，因此非常适合用于扁平的下一代物联网设计
• 更高功率密度——DFN0606 无引线封装导热效率高且热电阻仅为 135°C/W，因此能实现更高的功率密度。
• 导通 V_GS(th) < 1 V——这些 MOSFET 具有 < 1 V 的 V_GS(th)，使低压应用充分增强了低功耗条件下的 MOSFET 通道
• ESD 保护型栅极
• 通过 AEC-Q101 认证
• 无铅且完全符合 RoHS 规范
• 无卤素、无锑的“绿色”器件