串行 F-RAM™ 非易失性存储器

Infineon 的串行 F-RAM（铁电体 RAM）存储器集非易失性数据存储与快速 RAM 于一体。 串行 F-RAM 的存储密度在 4 Kb 至 4 Mb 之间，采用 SPI 和 I²C 接口以及行业标准封装。 串行 F-RAM 相对传统非易失性存储器具有三个明显优势：写入速度快（无写入延迟）、近乎无限的使用寿命以及低能耗。

串行 F-RAM 提供全接口速度快速写入。 串行 F-RAM 没有任何写入延迟；数据即时非易失性。 传统非易失性存储器数据变为非易失性前的延迟长于 5 ms。 如果电源掉电，挂起的数据就会丢失，除非系统具有额外电容或电池保持系统直到数据存储成功。

串行 F-RAM 具有近乎无限的 10¹⁴ 次读/写循环寿命。 传统的非易失性存储器的读写循环次数通常小于 10⁶，迫使系统设计人员使用复杂的损耗平衡例程和高达 4 倍的密度，来延长存储器的使用寿命。

串行 F-RAM 的工作电流低至 300 µA，待机电流低至 6 µA。 凭借快速写入能力，串行 F-RAM 保持工作状态的时间期较短，因此能耗非常低。 传统的非易失性存储器存在写入延迟，必须长时间保持工作状态，致使能耗高。

只需很小的固件改动，串行 F-RAM 就可以成为引脚对引脚和基底面兼容的 EEPROM 替代品。

白皮书︰ F-RAM™ 技术简介