FM24V02A 256 Kb I²C 串行 F-RAM

F-RAM 是非易失性的，执行读写操作类似于 RAM 该器件提供了可靠的 151 年数据保留时间，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其它非易失性存储器存在的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

与 EEPROM 不同，Infineon 的 FM24V02A 以总线速度执行写操作。 不会产生写入延迟。 每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储器阵列 无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。 此外，相比其它非易失性存储器，FM24V02A 具有足够的写入耐久性。 因为写操作不需要内部提升的电源电压用于写电路，所以 F-RAM 在写入时还具有比 EEPROM 低得多的功耗 。 FM24V02A 能支持 10¹⁴ 次读/写循环，写周期比 EEPROM 多 1 亿次。

这些功能使得 FM24V02A 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。 具体应用实例如，从写循环次数可能比较关键的数据记录，到苛刻的工业控制，对于后者来说，串行闪存或 EEPROM 的长写入时间会造成数据丢失。 这些特性组合使之能够以较少的系统开销实现更频繁的数据写入。

作为硬件直接替代品，FM24V02A 为串行 EEPROM 或闪存用户带来了显著的优势。 该器件加入了一个只读器件 ID，允许主机来确定制造商、产品密度和产品版本。 在 -40°C 至 85°C 的工业温度范围内器件技术规格是有保证的。

FM24V02A 还提供 128 Kb (16 K x 8) 串行 (I²C) F-RAM 版本。