Central Semiconductor Corp.

表面贴装 GaN N 沟道功率 FET

Central Semiconductor FET 专为具有高效率标准的高频应用而设计

Central Semiconductor 表面贴装氮化镓 (GaN) N 沟道功率 FET 图片Central Semiconductor N 沟道 GaN FET 兼具高压能力和低 RDS(ON)，专为具有高效率标准的高频应用而设计。这些 GaN FET 提供 100 V 电压（支持 60 A）或 650 V 电压（支持 11 A 或 17 A）。它们采用多种小型表面贴装封装。

特性
  • 耐高压能力：700 V
  • 低栅极电荷，RDS(ON) 低至 3.2 mΩ
  • 高效快速开关
  • 节省空间的 DFN 和 CSP
应用
  • 替代能源逆变器
  • 电池管理系统 (BMS)
  • 高效电源
  • 电动汽车充电

Surface-Mount GaN N-Channel Power FET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
SURFACE MOUNT MOSFETCCSPG1510N TR PBFREESURFACE MOUNT MOSFETN 通道GaNFET（氮化镓）150 V0 - 立即发货$71.47查看详情
发布日期： 2024-09-06