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CMSD2004S/CMSD2005S 高电压开关二极管

Central Semiconductor 高电压开关二极管采用 SOT-323 封装，提供 300 V 至 350 V 的反向重复峰值电压

Central Semiconductor CMSD2004S 和 CMSD2005S 高电压开关二极管图片Central Semiconductor 的 CMSD2004S 和 CMSD2005S 是通过外延平面工艺制造的双串联硅开关二极管。这些器件采用环氧树脂模塑 SOT-323 表面贴装封装，专为需要高电压能力的应用而设计。这些器件具有 300 V 至 350 V 的反向重复峰值电压 (VRRM)，同时还提供各种其它封装。

应用

  • 电机控制
  • 测试设备
  • 工业控制器
发布日期： 2018-10-09