LTC7890/LTC7891 DC/DC 开关稳压器控制器

ADI LTC7890 和 LTC7891 是高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，可从高达 100V 的输入电压驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。它们解决了使用 GaN FET 时传统上面临的许多挑战。LTC7890 和 LTC7891 简化了应用设计，与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，无需保护二极管或额外的外部组件。

内部智能自举开关可防止死区期间 BOOSTx 引脚对 SWx 引脚高侧驱动器电源过度充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7890 和 LTC7891 在内部优化了两个开关沿上的栅极驱动器时序，以实现智能的近零死区时间，从而显著提高效率并允许高频操作，即使在高输入电压下也是如此。或者，用户可以使用外部电阻器调整死区时间以获得余量或定制应用。

LTC7890 和 LTC7891 的栅极驱动电压可在 4 V 至 5.5 V 范围内精确调节，以优化性能并允许使用不同的 GaN FET 甚至逻辑电平 MOSFET。

演示电路 DC2938A 是一款双输出非隔离同步降压转换器，可驱动所有 N 沟道 GaN FET 功率级。DC2938A 采用低静态电流高频（从 100 kHz 至高达 3 MHz 的可编程固定频率）双路降压 DC/DC 同步控制器 LTC7890，具有用于采用小型 6 mm × 6 mm QFN 封装的 GaN FET 的专用驱动器功能。

演示电路 DC2995A 是一款采用 LTC7891 的降压稳压器。DC2995A 的工作输入电压范围为 36 V 至 72 V，可产生 12 V、20 A 输出。LTC7891 具有精密电压基准，可在整个工作条件下产生容差为 2% 的输出电压。500 kHz 恒定开关频率操作，使得电路小而高效。该转换器在 20 A 负载下可实现超过 96% 的效率。