LT8418 100 V 半桥 GaN 驱动器

ADI 的 LT8418 是一款 100 V 半桥 GaN 驱动器，集成顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。它可以配置成同步半桥和全桥拓扑或降压、升压和升降压拓扑。LT8418 提供强大的电流灌/拉能力，具有 0.6 Ω 上拉电阻和 0.2 Ω 下拉电阻。它集成了一个智能集成自举开关，可以从 V_CC 产生平衡自举电压，具有最小压差电压。

LT8418 提供分离栅极驱动器来调节 GaN FET 的开启和关闭压摆率，以抑制瞬时振荡和优化 EMI 性能。所有驱动器输入和输出都有默认低状态，以防止 GaN FET 被错误开启。LT8418、INT 和 INB 输入是独立的并且兼容 TTL 逻辑。同时，LT8418 具有 10 ns 的快速传播延迟，并在顶部和底部通道之间保持 1.5 ns 的出色延迟匹配，非常适合高频 DC/DC 转换器、电机驱动器和 D 类音频放大器。此外，LT8418 采用 WLCSP 封装来最大限度降低寄生电感，使其广泛应用于高性能和高功率密度应用。

EVAL-LT8418-BZ 评估电路采用 LT8418，以半桥配置驱动两个 100 V 增强型氮化镓 (eGaN) FET。该电路优化为降压转换器，但可用作升压转换器或由半桥组成的其他转换器拓扑。评估电路热管理良好，可提供最大 10 A 的电流。