HMC8411 低噪声放大器

Analog Devices 的 GaAs、MMIC、pHEMT、低噪声宽带放大器的工作频率为 0.01 GHz 至 10 GHz

Analog Devices HMC8411 低噪声放大器图片ADI 的 HMC8411LP2FE 是砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 赝配高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,工作频率为 0.01 GHz 至 10 GHz。它提供的典型增益为 15.5 dB,典型的噪声系数为 1.7 dB,典型的输出三阶交调 (OIP3) ≤ 34 dBm,5 V 漏极电源电压仅需提供 55 mA 的电流。典型的饱和输出功率 (PSAT) ≤19.5 dBm,使低噪声放大器 (LNA) 可以用作 Analog Devices, Inc. 的多款平衡、同相和正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本振 (LO) 驱动。

HMC8411LP2FE 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的大容量微波无线电应用。它采用符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm、6 引线 LFCSP 封装。EV1HMC8411LP2F 评估板是一款 2 层板,采用 Rogers 4350 制造,并采用高频 RF 设计的最佳实践。RF 输入和 RF 输出走线具有 50 Ω 特性阻抗。

特性
  • 低噪声系数:1.7 dB(典型值)
  • 单正向电源(自偏置)
  • 高增益:15.5 dB(典型值)
  • 高 OIP3:典型值为 34 dBm
  • 6 引脚 2 mm x 2 mm LFCSP
  • 军用温度范围(-55°C 至 +125°C)
应用
  • 测试仪器
  • 军事通信

HMC8411 Low-Noise Amplifier

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发布日期: 2023-11-13