单 FET,MOSFET

结果 : 128
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFSDCoolMOS™S7HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250 V300 V600 V650 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A(Tj)3.8A(Ta)3.9A(Tc)5A(Tc)6A(Tc)7A(Tc)8A(Tc)8.7A(Tc)9A(Tc)10.9A(Tc)11A(Tc)11.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V12V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 50A,12V18 毫欧 @ 58.2A,10V22 毫欧 @ 23A,12V24毫欧 @ 42.4A,10V29 毫欧 @ 35.8A,10V31 毫欧 @ 32.6A,10V35 毫欧 @ 24.9A,10V37 毫欧 @ 32.6A,10V40 毫欧 @ 13A,12V40 毫欧 @ 24.9A,10V41 毫欧 @ 24.8A,10V41 毫欧 @ 33.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 13µA4V @ 270µA4V @ 32µA4V @ 90µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 1.25mA4.5V @ 1.3mA4.5V @ 1.44mA4.5V @ 1.63mA4.5V @ 1.79mA4.5V @ 1.8mA4.5V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 10 V11.4 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.1 nC @ 10 V18 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V28 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V31 nC @ 10 V31.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 100 V430 pF @ 100 V615 pF @ 100 V679 pF @ 400 V807 pF @ 400 V870 pF @ 100 V920 pF @ 100 V1015 pF @ 400 V1016 pF @ 400 V1100 pF @ 100 V1190 pF @ 400 V1199 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),8.3W(Tc)23W(Tc)24W(Tc)26W(Tc)27.8W(Tc)31.2W(Tc)32W(Tc)33.8W(Tc)34W(Tc)34.7W(Tc)36.7W(Tc)43W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)-PG-HDSOP-10-1PG-HDSOP-22-1PG-HSOF-8-2PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TO220 整包PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247-3
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN10-PowerSOP 模块22-PowerBSOP 模块-TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
128结果

显示
/ 128
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Infineon Technologies
9,138
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.14954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
10.9A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 32µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Infineon Technologies
5,064
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.73647
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
10.9A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 32µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
Infineon Technologies
4,349
现货
1 : ¥22.33000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.52804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Infineon Technologies
7,294
现货
1 : ¥22.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.19339
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Infineon Technologies
7,383
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-TDSON-8-1
BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Infineon Technologies
7,450
现货
1 : ¥27.42000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.78882
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Infineon Technologies
3,898
现货
1 : ¥50.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.37809
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
38A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3194 pF @ 400 V
-
178W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
2,994
现货
1 : ¥50.00000
剪切带(CT)
3,000 : ¥26.59235
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3193 pF @ 400 V
-
219W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4-1
4-PowerTSFN
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Infineon Technologies
1,569
现货
1 : ¥51.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
31A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 15.1A,10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-21
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Infineon Technologies
3,829
现货
1 : ¥63.38000
剪切带(CT)
1,000 : ¥35.94302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4.5V @ 1.25mA
108 nC @ 10 V
±20V
4351 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IPP60R022S7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Infineon Technologies
876
现货
1 : ¥87.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Tc)
12V
22 毫欧 @ 23A,12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TOLLLEADLESS
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Infineon Technologies
1,925
现货
1 : ¥91.54000
剪切带(CT)
2,000 : ¥48.65861
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Tc)
12V
22 毫欧 @ 23A,12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
PG-TO247-3
IPW65R041CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Infineon Technologies
615
现货
1 : ¥110.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
68.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 33.1A,10V
4.5V @ 3.3mA
300 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 100 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
999
现货
1 : ¥153.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
101A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 58.2A,10V
4.5V @ 2.91mA
251 nC @ 10 V
±20V
9901 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
8-Power TDFN
BSZ42DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Infineon Technologies
21,880
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.04661
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
5A(Tc)
10V
425 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 13µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
33.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-2
8-PowerTDFN
6,137
现货
1 : ¥22.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.02495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
145 毫欧 @ 6.8A,10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Infineon Technologies
17,131
现货
1 : ¥25.53000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.90934
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
24A(Tc)
10V
67 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 125 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Infineon Technologies
9,737
现货
1 : ¥26.93000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.55813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
16A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 150 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-VSON-4
IPL60R075CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Infineon Technologies
5,665
现货
1 : ¥44.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥21.51078
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 15.1A,10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
189W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
OptiMOS Series
IPW60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥45.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 11.4A,10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥88.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
31 毫欧 @ 32.6A,10V
4.5V @ 1.63mA
141 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
228
现货
1 : ¥98.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
69A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IPW60R024CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Infineon Technologies
195
现货
1 : ¥105.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
77A(Tc)
10V
24毫欧 @ 42.4A,10V
4.5V @ 2.12mA
183 nC @ 10 V
±20V
7268 pF @ 400 V
-
320W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO252-3
IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Infineon Technologies
1,436
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.72325
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.9A,10V
4.5V @ 140µA
14 nC @ 10 V
±20V
679 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
435
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 4.9A,10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 400 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。