单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-EHEXFET®SuperFET® IISuperFET® III
包装
散装管件
漏源电压（Vdss）
150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
47A（Tc）51A（Tc）57A（Ta）75A（Tc）76A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 37.5A，10V32 毫欧 @ 36A，10V40 毫欧 @ 28.5A，10V41 毫欧 @ 38A，10V73 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 2.85mA4V @ 250µA4.5V @ 3mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
89 nC @ 10 V105 nC @ 10 V236 nC @ 10 V266 nC @ 10 V304 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2770 pF @ 25 V5858 pF @ 100 V6250 pF @ 300 V7330 pF @ 400 V13566 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），230W（Tc）360W（Tc）500W（Tc）595W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
TO-220ABTO-247TO-247-3TO-247AD
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB52N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Infineon Technologies
412
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
51A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 36A，10V
5V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
2770 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3
NVHL025N65S3
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
268
现货
1,800
工厂
1 : ¥171.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
75A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 37.5A，10V
4.5V @ 3mA
236 nC @ 10 V
±30V
7330 pF @ 400 V
-
595W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247AD
SQW44N65EF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
387
现货
1 : ¥71.92000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
47A（Tc）
10V
73 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 250µA
266 nC @ 10 V
±30V
5858 pF @ 100 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247AD
TO-247-3
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Fairchild Semiconductor
163
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
76A（Tc）
10V
41 毫欧 @ 38A，10V
5V @ 250µA
304 nC @ 10 V
±20V
13566 pF @ 25 V
-
595W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247
TO-247-3
92
现货
1 : ¥93.59000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
57A（Ta）
10V
40 毫欧 @ 28.5A，10V
4V @ 2.85mA
105 nC @ 10 V
±30V
6250 pF @ 300 V
-
360W（Tc）
150°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。